Кремниевые пластины и эпитаксиальные структуры
Кремниевые пластины для микроэлектроники
Диаметр от 40 до 200 мм
Типы поверхности:
- резаные
- шлифованные
- полированые
Метод выращивания кремния: по Чохральскому и бестигельной зонной плавки
Типы кремния: КЭФ, КДБ, ЭКЭС, КЭМ
Удельное сопротивление: от 0,001 до 10 000 Ом*см
Соответствуют стандартам SEMI, ЕТО.035.206ТУ, ЕТО.035.578ТУ, ЕТО.035.124ТУ
Возможно изготовление пластин по спецификации потребителя
По заказу потребителя обратная сторона может быть защищена SiO2, Si3N4 и поликремнием
Производство аттестовано на соответствие ISO 9001:2009 и требованиям ГОСТ Р ИСО 9001-2008 (МС ISO 9001-2008) в системе «Военэлектронсерт».
Преймущества производства:
- использование производственного оборудования от лучших мировых производителей
• станок проволочной резки Е-500 (Швейцария)
• линия шлифовки и полировки пластин DSM20 (Германия)
- 100% выходной контроль нашей продукции на высокоточном автоматическом оборудовании
- систематический анализ всех вопросов, касающихся качества
- тщательный подбор поставщиков сырья и расходных материалов высшего мирового класса.
Эпитаксиальные структуры
Проводим изготовление эпитаксиальных структур, в том числе со скрытым слоем, по техническим требованиям потребителя.
Толщина эпитаксиального слоя до 200 мкм.
Удельное сопротивление эпитаксиального слоя от 0,3 до 100 Ом*см
Производство оснащено итальянскими установками РЕ2061S и PE3061D.
Изготавливаем эпитаксиальные структуры со скрытыми слоями.
|
Диаметр пластин |
76,100 мм |
150 мм |
|
Используемый материал |
трихлорсилан |
трихлорсилан |
|
Максимальная толщина эпитаксиального слоя |
200 мкм |
200 мкм |
|
Максимальное удельное сопротивление эпитаксиального слоя |
100 Ом×см |
200 Ом×см |
|
Равномерность по толщине - по пластине - по процессу - между процессами |
Не более 5% Не более 7% Не более 4% |
Не более 1,5% Не более 3% Не более 3% |
|
Равномерность по удельному сопротивлению: - по пластине - по процессу - между процессами |
Не более 5% Не более 8% Не более 4% |
Не более 3% Не более 4% Не более 4% |
|
Коэффициент заполнения линиями скольжения |
Не более 0,1 |
Не более 0,05 |